300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm ?H_LX;r
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm UG'bOF4
780~1200 nm T ave <1% OiAJ[L
.e'eE
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) ?6nF~9Z'
T]j.=|,d
H: Ta2O5 L:SiO2 <5G{"U+ \
'S2bp4G
該如何設(shè)計