1)采用大面積芯片封裝
q.Nweu!jQ 2!N8rHRt 用1x1 mm2的大尺寸芯片取代現(xiàn)有的0.3 x0.3 mm2的小芯片封裝,在芯片注入電流密度不能大幅度提高的情況下,是一種主要的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)。
(I@bkMp !~_zm*CqbZ 2)芯片倒裝技術(shù)
}0,>2TTDN p8wyEHB 解決電極擋光和藍(lán)寶石不良散熱問(wèn)題,從藍(lán)寶石襯底面出光。在p電極上做上厚層的銀反射器,然后通過(guò)電極凸點(diǎn)與基座上的凸點(diǎn)鍵合。基座用散熱良好的Si材料制得,并在上面做好防靜電電路。根據(jù)美國(guó)Lumileds公司的結(jié)果,芯片倒裝約增加出光效率1.6倍。芯片散熱能力也得到大幅改善,采用倒裝技術(shù)后的大功率發(fā)光二極管的熱阻可低到12~15℃/W。
jQU"Ved 4Ij-Ilg)% 3)金屬鍵合技術(shù)
hzI*{ 0oy-os 這是一種廉價(jià)而有效的制作功率
LED的方式。主要是采用金屬與金屬或者金屬與硅片的鍵合技術(shù),采用導(dǎo)熱良好的硅片取代原有的GaAs或藍(lán)寶石襯底,金屬鍵合型LED具有較強(qiáng)的熱耗散能力。
P)dL?vkK 4)開(kāi)發(fā)大功率紫外光LED
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d ch5s<x#CE UV LED配上三色熒光粉提供了另一個(gè)方向,白光色溫穩(wěn)定性較好,使其在許多高品質(zhì)需求的應(yīng)用場(chǎng)合(如節(jié)能臺(tái)燈)中得到應(yīng)用。這樣的技術(shù)雖然有種種的優(yōu)點(diǎn),但仍有相當(dāng)?shù)募夹g(shù)難度,這些困難包括配合熒光粉紫外光波長(zhǎng)的選擇、UV LED制作的難度及抗UV封裝材料的開(kāi)發(fā)等等。
7z_;t9Y \qi|Js*{ 5)開(kāi)發(fā)新的熒光粉和涂敷工藝
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