LED外延生長的基本原理是：在一塊加熱至適當(dāng)溫度的襯底基片（主要有藍(lán)寶石和SiC，Si）上，氣態(tài)物質(zhì)In,Ga,Al,P有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶
薄膜。目前LED外延片生長技術(shù)主要采用有機金屬化學(xué)氣相沉積方法。
j. m(Z} 5V( $| 3PI 外延片的生產(chǎn)制作過程是非常復(fù)雜，展完外延片，接下來就在每張外延片隨意抽取九點做測試，符合要求的就是良品，其它為不良品（電壓偏差很大，波長偏短或偏長等）。良品的外延片就要開始做電極（P極，N極），接下來就用
激光切割外延片，然后百分百分撿，根據(jù)不同的電壓，波長，亮度進(jìn)行全自動化分檢，也就是形成LED晶片（方片）。然后還要進(jìn)行目測，把有一點缺陷或者電極有磨損的，分撿出來，這些就是后面的散晶。此時在藍(lán)膜上有不符合正常出貨要求的晶片，也就自然成了邊片或毛片等。不良品的外延片（主要是有一些參數(shù)不符合要求），就不用來做方片，就直接做電極（P極，N極），也不做分檢了，也就是目前市場上的LED大圓片（這里面也有好東西，如方片等）。
>d{O1by=d9 q7VpKfA:M 半導(dǎo)體制造商主要用拋光Si片（PW）和外延Si片作為IC的原材料。20世紀(jì)80年代早期開始使用外延片，它具有標(biāo)準(zhǔn)PW所不具有的某些電學(xué)特性并消除了許多在
晶體生長和其后的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷。
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