今天來探討
LED外延片的成長工藝，早期在小積體電路時代，每一個6吋的外延片上制作數(shù)以千計的芯片，現(xiàn)在次微米線寬的大型VLSI，每一個8吋的外延片上也只能完成一兩百個大型芯片。外延片的制造雖動輒投資數(shù)百億，但卻是所有電子工業(yè)的基礎。
'/u|32 i#*[,
P~ 硅晶柱的長成，首先需要將純度相當高的硅礦放入熔爐中，并加入預先設定好的
金屬物質，使產(chǎn)生出來的硅晶柱擁有要求的電性特質，接著需要將所有物質融化后再長成單晶的硅晶柱，以下將對所有晶柱長成制程做介紹：
6v3l^~kc' Z|n|gxe 長晶主要程式：
/=p[k^A 1、融化(MELtDown)
$UH: r 此過程是將置放于石英坩鍋內的塊狀復晶硅加熱制高于攝氏1420度的融化溫度之上，此階段中最重要的參數(shù)為坩鍋的位置與熱量的供應，若使用較大的功率來融化復晶硅，石英坩鍋的壽命會降低，反之功率太低則融化的過程費時太久，影響整體的產(chǎn)能。
$M)i]ekm c36p+6rJk= 2、頸部成長(Neck Growth)
(Ut8pa+yX 當硅融漿的溫度穩(wěn)定之后，將方向的晶種漸漸注入液中，接著將晶種往上拉升，并使直徑縮小到一定(約6mm)，維持此直徑并拉長10-20cm，以消除晶種內的排差(dislocation)，此種零排差(dislocation-free)的控制主要為將排差局限在頸部的成長。
toPbFU' hE {";/}J 3、晶冠成長(Crown Growth)
)&1v[] %S 長完頸部后，慢慢地降低拉速與溫度，使頸部的直徑逐漸增加到所需的大小。
e ' l9 Tx PFl7,r 4、
晶體成長(Body Growth)
ev;&n@k_I 利用拉速與溫度變化的調整來遲維持固定的晶棒直徑，所以坩鍋必須不斷的上升來維持固定的液面高度，于是由坩鍋傳到晶棒及液面的輻射熱會逐漸增加，此輻射熱源將致使固業(yè)介面的溫度梯度逐漸變小，所以在晶棒成長階段的拉速必須逐漸地降低，以避免晶棒扭曲的現(xiàn)象產(chǎn)生。
2X\P w "++\6 H< 5、尾部成長(Tail Growth)
t,f ec>. 當晶體成長到固定(需要)的長度后，晶棒的直徑必須逐漸地縮小，直到與液面分開，此乃避免因熱應力造成排差與滑移面現(xiàn)象。
)%@7tx P_A @`eU0 切割：
RlL ]p`g 晶棒長成以后就可以把它切割成一片一片的，也就是外延片。芯片， 圓片，是
半導體元件"芯片"或"芯片"的基材，從拉伸長出的高純度硅元素晶柱 (Crystal Ingot)上，所切下之圓形薄片稱為外延片(外延片)。
i`gM>
