與傳統(tǒng)光源一樣，半導體發(fā)光二極體（LED）在工作期間也會產生熱量，其多少取決于整體的發(fā)光效率。在外加電能量作用下，電子和空穴的輻射復合發(fā)生電致發(fā)光，在P-N結附近輻射出來的光還需經過芯片（chip）本身的半導體介質和封裝介質才能抵達外界（空氣）。綜合電流注入效率、輻射發(fā)光量子效率、芯片外部光取出效率等，最終大概只有30-40％的輸入電能轉化為光能，其餘60-70％的能量主要以非輻射復合發(fā)生的點陣振動的形式轉化熱能。 D4IP$pAD
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而芯片溫度的升高，則會增強非輻射復合，進一步消弱發(fā)光效率。因為，人們主觀上認為大功率 LED 沒有熱量，事實上確有。大量的熱，以至于在使用過程中發(fā)生問題。加上很多初次使用大功率LED 的人，對熱問題又不懂如何有效地解決，使得產品可靠性成為主要問題。那麼，LED 究竟有沒有熱量產生呢？能產生多少熱量呢？ LED 產生的熱量究竟有多大？ Y QN@;
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LED 在正向電壓下，電子從電源獲得能量，在電場的驅動下，克服PN 結的電場，由N 區(qū)躍遷到P 區(qū)，這些電子與P 區(qū)的空穴發(fā)生復合。由于漂移到P 區(qū)的自由電子具有高于P 區(qū)價電子的能量，復合時電子回到低能量態(tài)，多餘的能量以光子的形式放出。發(fā)出光子的波長與能量差 Eg 相關�？梢�，發(fā)光區(qū)主要在PN 結附近，發(fā)光是由于電子與空穴復合釋放能量的結果。一隻半導體二極體，電子在進入半導體區(qū)到離開半導體區(qū)的全部路程中，都會遇到電阻。簡單地從原理上看，半導體二極體的物理結構簡單地從原理上看，半導體二極體的物理結構源負極發(fā)出的電子和回到正極的電子數(shù)是相等的。普通的二極體，在發(fā)生電子－空穴對的復合是，由于能級差Eg的因素，釋放的光子光譜不在可見光范圍內。 `J zP V/6
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電子在二極體內部的路途中，都會因電阻的存在而消耗功率。所消耗的功率符合電子學的基本定律： D&-cNxh
P ＝I2 R ＝I2（RN ＋＋RP ）＋IVTH :/XWk
%
式中：RN 是N 區(qū)體電阻 F \Q X=n
VTH 是PN 結的開啟電壓 bx._,G
RP 是P 區(qū)體電阻 P0<)E
消耗的功率產生的熱量為： 6R'z3[K9
Q ＝ Pt %n)H(QPW
式中：t 為二極體通電的時間。 /|LQ?n
.8]buM5_G
本質上，LED 依然是一隻半導體二極體。因此，LED 在正向工作時，它的工作過程符合上面的敍述。它所它所消耗的電功率為： hq*"S -N
P LED = U LED × I LED %*a%F ~Ss
式中：U LED 是LED 光源兩端的正向電壓 ' ;zS0Yk
I LED 是流過LED 的電流 PfjD!=yS=h
這些消耗的電功率轉化為熱量放出： M.u1SB0
Q＝P LED × t /H~]5JZ3-E
式中：t 為通電時間 8z)J rO}
32z2c:G
實際上，電子在P 區(qū)與空穴復合時釋放的能量，并不是由外電源直接提供的，而是由于該電子在N 區(qū)時，在沒有外電場時，它的能級就比P 區(qū)的價電子能級高出Eg。當它到達P 區(qū)后，與空穴復合而成為P 區(qū)的價電子時，它就會釋放出這麼多的能量。Eg 的大小是由材料本身決定的，與外電場無關。外電源對電子的作用只是推動它做定向移動，并克服PN 結的作用。 JsK_q9]$e
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LED 的產熱量與光效無關；不存在百分之幾的電功率產生光，其餘百分之幾的電功率產生熱的關係。透過對大功率LED熱的產生、熱阻、結溫概念的理解和理論公式的推導及熱阻測量，我們可以研究大功率LED的實際封裝設計、評估和產品應用。需要說明的是熱量管理是在LED產品的發(fā)光效率不高的現(xiàn)階段的關鍵問題，從根本上提高發(fā)光效率以減少熱能的產生才是釜底抽薪之舉，這需要芯片制造、LED封裝及應用產品開發(fā)各環(huán)節(jié)技術的進步。
