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    [轉(zhuǎn)載]解析大功率LED封裝工藝及方案 [復(fù)制鏈接]

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    只看樓主 倒序閱讀 樓主  發(fā)表于: 2010-12-13
    關(guān)鍵詞: 功率LED封裝工藝芯片
    芯片設(shè)計(jì) 60aKT:KLC_  
    <f.>jjwFE  
        從芯片的演變歷程中發(fā)現(xiàn),各大LED生產(chǎn)商在上游磊晶技術(shù)上不斷改進(jìn),如利用不同的電極設(shè)計(jì)控制電流密度,利用ITO薄膜技術(shù)令通過LED的電流能平均分布等,使在結(jié)構(gòu)上都盡可能產(chǎn)生最多的。再運(yùn)用各種不同方法去抽出LED發(fā)出的每一粒光子,如生產(chǎn)不同外形的芯片;利用芯片周邊有效地控制光折射度提高LED取率,研制擴(kuò)大單一芯片表面尺寸(>2mm2)增加發(fā)光面積,更有利用粗糙的表面增加光線的透出等等。 f*T)*R_