我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目正式啟動(dòng)
中國南車大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地今天在湖南株洲奠基,標(biāo)志著我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目正式啟動(dòng)。
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)芯片設(shè)計(jì)、制造以及IGBT模塊封裝屬于電力電子領(lǐng)域的核心技術(shù),廣泛應(yīng)用于軌道交通、航空航天、船舶驅(qū)動(dòng)、新能源、汽車電子、智能電網(wǎng)等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域,是節(jié)能技術(shù)和低碳經(jīng)濟(jì)的主要支撐,被業(yè)界譽(yù)為功率變流裝置的“CPU”、綠色經(jīng)濟(jì)的“核芯”,目前我國IGBT芯品主要依賴進(jìn)口。中國南車大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地的建成,將改變我國在這一領(lǐng)域受制于人的局面,意味著中國南車將具有IGBT芯片設(shè)計(jì)—芯片制造—模塊封裝—系統(tǒng)應(yīng)用完整的產(chǎn)業(yè)鏈。 建成后的中國南車大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地集IGBT產(chǎn)品設(shè)計(jì)、芯片制造、模塊封裝測(cè)試、可靠性試驗(yàn)、系統(tǒng)應(yīng)用等成套技術(shù)的研究、開發(fā)、產(chǎn)品制造于一體,其自動(dòng)化、專業(yè)化和規(guī);潭榷紝⑻幱趪鴥(nèi)領(lǐng)先水平。據(jù)悉,該項(xiàng)目由中國南車株洲所具體實(shí)施,項(xiàng)目總投資14億元,預(yù)計(jì)2013年正式投產(chǎn)。屆時(shí),該基地將具備年產(chǎn)12萬片8英寸IGBT芯片和100萬只大功率IGBT器件的能力,年產(chǎn)值超20億元。 該基地除建設(shè)一條國際領(lǐng)先的8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線外,還將建設(shè)9條滿足不同行業(yè)用的IGBT模塊生產(chǎn)線。產(chǎn)品電壓等級(jí)從600伏到6500伏,滿足軌道交通以及電動(dòng)汽車、風(fēng)力發(fā)電、太陽能發(fā)電、智能電網(wǎng)、高壓變頻、工業(yè)傳動(dòng)等多個(gè)行業(yè)需求,成為我國首個(gè)完全依靠自主能力建設(shè)、設(shè)計(jì)規(guī)模最大、技術(shù)實(shí)力最強(qiáng)、產(chǎn)品型譜最全的大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地。 據(jù)了解,軌道交通、新能源、電動(dòng)汽車等綠色經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)在未來10年甚至更長(zhǎng)的時(shí)間里將保持每年20%—30%的高速增長(zhǎng)。作為綠色經(jīng)濟(jì)的功率“核芯”,IGBT市場(chǎng)前景十分光明。 |