研究人員將電子束光刻推進(jìn)至9納米

麻省理工學(xué)院(MIT)的研究人員們宣稱已經(jīng)開發(fā)出了一種新技術(shù)，能將用于芯片圖案蝕刻的高速電子束光刻的分辨率尺度推進(jìn)到9nm(納米)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出人們此前的預(yù)想。MIT表示，電子束光刻工具之前最小的形體尺寸是25nm，而他們的新發(fā)現(xiàn)將會大大延長電子束光刻技術(shù)在半導(dǎo)體制造業(yè)中的壽命。 A )xfO-  
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MIT透露，他們的這次突破主要得益于兩點(diǎn)，一是使用更薄的絕緣層來盡量避免電子散射，二是使用特殊材料對接收電子較多的區(qū)域進(jìn)行了加固。 e;&f