碳化硅顆粒表面磁控濺射鍍銅膜的研究摘要：采用直流磁控濺射方法 ,在 SiC顆粒表面成功地沉積了金屬銅膜。利用場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡( FESEM) 、 能譜儀( EDS)和電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀( ICP2AES)等測(cè)試儀器對(duì)其表面形貌和組份進(jìn)行了表征。重點(diǎn)討論了不同的沉積條件對(duì)薄膜結(jié)晶的影響 ,并用 X射線衍射儀(XRD)對(duì)其進(jìn)行了表征。結(jié)果表明 ,濺射鍍膜時(shí) ,通過(guò)控制 SiC顆粒的運(yùn)動(dòng)方式 ,可以在其表面鍍上均勻、 連續(xù)和致密的金屬膜。濺射時(shí)間越長(zhǎng)或?yàn)R射功率越大或溫度越高 ,都有利于薄膜結(jié)晶。 I$p1^8~L
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關(guān)鍵詞：磁控濺射；金屬膜；碳化硅；X射線衍射儀
