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日本研制出可在高溫下穩(wěn)定運(yùn)行的硅基量子點(diǎn)激光器 日本東京大學(xué)日前研制出了鍵合在硅基底上的1.3m量子點(diǎn)（QD）激光二極管（發(fā)表在《應(yīng)用物理快報(bào)》2013年第六期，作者Katsuaki Tanabe等）。光子電路通常以硅為基底，但目前的光源通常采用化合物半導(dǎo)體研制。特別是，研究人員正在尋求大溫度范圍下穩(wěn)定工作的器件，以實(shí)現(xiàn)更高的工作溫度。東京大學(xué)的器件是采用硅摻雜部分P型砷化鎵（GaAs）壁壘結(jié)合自行聚合砷化銦（InAs）形成量子點(diǎn)，以構(gòu)建激光二極管的有源發(fā)光區(qū)域，再將這些器件鍵合到硅基底上。 |
