光迅科技“一種新型結構的熱調諧激光器芯片及其制作方法”專利公布

發(fā)布:cyqdesign 2024-01-02 19:22 閱讀:731
據(jù)國家知識產(chǎn)權局公告,武漢光迅科技股份有限公司申請一項名為“一種新型結構的熱調諧激光芯片及其制作方法”,公開號CN117335261A,申請日期為2022年6月。 7Sz'vyiz  
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專利摘要顯示,本發(fā)明涉及半導體激光器芯片技術領域,提供了一種新型結構的熱調諧激光器芯片及其制作方法。其中包括襯底和依次生長在襯底之上的多個功能層,具體的:在脊波導的兩側溝道分別刻蝕有導通至襯底的隔熱凹槽,所述脊波導下方的至少一個功能層被挖空形成空洞隔熱區(qū)域,所述空洞隔熱區(qū)域的兩側與所述隔熱凹槽相鄰。本發(fā)明避免了芯片內部的熱量散失,提高了芯片的隔溫效果,從而提高芯片的熱調諧效率。 O {6gNR,*  
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最新評論

phisfor 2024-01-03 07:10
光迅科技“一種新型結構的熱調諧激光器芯片及其制作方法”專利公布
牛開心 2024-01-03 08:27
本發(fā)明避免了芯片內部的熱量散失,提高了芯片的隔溫效果,從而提高芯片的熱調諧效率。
personking 2024-01-03 08:43
[資訊]光迅科技“一種新型結構的熱調諧激光器芯片及其制作方法”專利公布 [復制鏈接] 7"n)/;la  
liulin666 2024-01-03 08:46
光迅科技“一種新型結構的熱調激光器芯片及其制作方式”
likaihit 2024-01-03 08:47
專利結果
redplum 2024-01-03 08:49
太厲害了
wmh1985 2024-01-03 08:53
本發(fā)明涉及半導體激光器芯片技術領域,提供了一種新型結構的熱調諧激光器芯片及其制作方法。其中包括襯底和依次生長在襯底之上的多個功能層,具體的:在脊波導的兩側溝道分別刻蝕有導通至襯底的隔熱凹槽,所述脊波導下方的至少一個功能層被挖空形成空洞隔熱區(qū)域,所述空洞隔熱區(qū)域的兩側與所述隔熱凹槽相鄰。本發(fā)明避免了芯片內部的熱量散失,提高了芯片的隔溫效果,從而提高芯片的熱調諧效率。
bairuizheng 2024-01-03 08:56
看看新聞 do:QH.q8)  
churuiwei 2024-01-03 09:20
本發(fā)明涉及半導體激光器芯片技術領域,提供了一種新型結構的熱調諧激光器芯片及其制作方法
liu.wade 2024-01-03 09:21
光迅科技“一種新型結構的熱調激光器芯片及其制作方式”
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