光迅科技“一種新型結(jié)構(gòu)的熱調(diào)諧激光器芯片及其制作方法”專利公布
據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告,武漢光迅科技股份有限公司申請一項(xiàng)名為“一種新型結(jié)構(gòu)的熱調(diào)諧激光器芯片及其制作方法”,公開號CN117335261A,申請日期為2022年6月。
專利摘要顯示,本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光器芯片技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種新型結(jié)構(gòu)的熱調(diào)諧激光器芯片及其制作方法。其中包括襯底和依次生長在襯底之上的多個功能層,具體的:在脊波導(dǎo)的兩側(cè)溝道分別刻蝕有導(dǎo)通至襯底的隔熱凹槽,所述脊波導(dǎo)下方的至少一個功能層被挖空形成空洞隔熱區(qū)域,所述空洞隔熱區(qū)域的兩側(cè)與所述隔熱凹槽相鄰。本發(fā)明避免了芯片內(nèi)部的熱量散失,提高了芯片的隔溫效果,從而提高芯片的熱調(diào)諧效率。 |
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qyzyq37jason618 2024-01-03 19:30專利摘要顯示,本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光器芯片技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種新型結(jié)構(gòu)的熱調(diào)諧激光器芯片及其制作方法。其中包括襯底和依次生長在襯底之上的多個功能層,具體的:在脊波導(dǎo)的兩側(cè)溝道分別刻蝕有導(dǎo)通至襯底的隔熱凹槽,所述脊波導(dǎo)下方的至少一個功能層被挖空形成空洞隔熱區(qū)域,所述空洞隔熱區(qū)域的兩側(cè)與所述隔熱凹槽相鄰。本發(fā)明避免了芯片內(nèi)部的熱量散失,提高了芯片的隔溫效果,從而提高芯片的熱調(diào)諧效率。
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jeremiahchou 2024-01-03 20:15專利摘要顯示,本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光器芯片技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種新型結(jié)構(gòu)的熱調(diào)諧激光器芯片及其制作方法。其中包括襯底和依次生長在襯底之上的多個功能層,具體的:在脊波導(dǎo)的兩側(cè)溝道分別刻蝕有導(dǎo)通至襯底的隔熱凹槽,所述脊波導(dǎo)下方的至少一個功能層被挖空形成空洞隔熱區(qū)域,所述空洞隔熱區(qū)域的兩側(cè)與所述隔熱凹槽相鄰。本發(fā)明避免了芯片內(nèi)部的熱量散失,提高了芯片的隔溫效果,從而提高芯片的熱調(diào)諧效率。
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wangjin001x 2024-01-03 20:47光迅科技“一種新型結(jié)構(gòu)的熱調(diào)諧激光器芯片及其制作方法”專利公布