在
PMMA基底上鍍AR膜系,905nm增透。
3\{\ al 基片經(jīng)超聲波中性洗劑清洗后,放在恒溫箱中75℃,退火2h;在光馳機(jī)器中不加熱,開(kāi)離子源,真空抽至2E-3開(kāi)始鍍(Ta2O5/石英環(huán))。
V?mk*CU 出鍋后,基片上的膜層就出現(xiàn)明顯裂痕。
#p]V? 基片翻面放進(jìn)機(jī)器,降低鍍石英環(huán)的離子轟擊能量,并在出鍋后,直接放入恒溫箱中75℃退火2h。結(jié)果是基片沒(méi)有裂痕,但膜層一擦就掉。