[求助]鍍AR出現(xiàn)的問題，大神們求指點(diǎn)。 [復(fù)制鏈接]

圖一：同一傘從上到下的反射數(shù)據(jù)。不知道主要問題在哪里？ 2'=)ese  
   謝謝各位�。� <5%*
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  圖二：是與圖二同一臺機(jī)鍍的另外一個工藝（除膜厚外，其他條件是一樣的）的反射數(shù)據(jù)。 Eb~vNdPo  
Ud+,/pE>FA  

圖片:A5254BD4984F47E3B7FB814F3297C810.jpg

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        圖一是7層  LHLHLHL       H4\SIO2      c/88|k  
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圖片:9CAEB8CFAB0D98EAB544F93840406934.jpg

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      圖二是 5層   LHLHL             H4\SIO2   Ws5N|g  
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均勻性問題，建議使用修正板 u~*A-X[  

ysc212:均勻性問題，建議使用修正板 "i&n;8?Y  
 (2017-06-20 09:34)  :T PG~`k(  

>cjxu9Vr1K  
恩   但是第二張圖只是膜厚層數(shù)不同，差異就沒有第一個大。是不是第一個膜系里面有些敏感層。謝謝回復(fù)。

個人感覺是膜層敏感度的原因，特別是光控進(jìn)行鍍膜時(shí)更容易發(fā)生這種現(xiàn)象

yzhuang:個人感覺是膜層敏感度的原因，特別是光控進(jìn)行鍍膜時(shí)更容易發(fā)生這種現(xiàn)象 (2017-06-27 11:20)  lQ.3_{"s  

N~yGtnW  
我用的晶控，同樣的修正版 膜料 鍍出來的差異太大了，SIO2  H4是同一個修正板。

#Bn7Cc  
我建議你做一下圖一的重復(fù)性，如果每爐差，但是情況不一樣，那么是你的敏感層是H4，要么膜系結(jié)構(gòu)優(yōu)化一下，（圖2是單峰結(jié)構(gòu)，敏感度沒那么高）要么控制H4的預(yù)熔與充氧量； GZFLJu  
f9E.X\"  
如果每爐都這樣，那肯定是均勻性沒做好，有條件的話  高低折射率的mask單獨(dú)修一下； Lr(wS {  
F>3fP  
另外，SIO2的分布比一般的氧化物要差一點(diǎn)，可以選好一點(diǎn)的SIO2 dG]s_lb9H  
j~9,Ct  

這很清楚的。 +4p gPv  
B,dKpz;kFg  
若與圖一使用之MASK為同支， O/Wc@Ln  
]+0I8eerd  
圖二看起來均勻性O(shè)K，即表示MASK為好的。 TBqJ.a  
cvf#^Cu   
至於圖一為什麼會這樣? 我認(rèn)為是敏感層問題(薄層) M}6? |ir  
{YgB?kt5  
若想重複確認(rèn)，可以鍍單一材料來看看他的5Q，答案即可得知。

均勻性的問題。。。。。影響均勻性的素較多

fly6947:我建議你做一下圖一的重復(fù)性，如果每爐差，但是情況不一樣，那么是你的敏感層是H4，要么膜系結(jié)構(gòu)優(yōu)化一下，（圖2是單峰結(jié)構(gòu)，敏感度沒那么高）要么控制H4的預(yù)熔與充氧量；
如果每爐都這樣，那肯定是均勻性沒做好，有條件的話  高低折射率的mask單獨(dú)修一下；
....... (2017-06-29 08:46)  fmvv q1G&  

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好的   ，謝謝指導(dǎo)。我回頭試試。

johnyu:這很清楚的。
若與圖一使用之MASK為同支，
圖二看起來均勻性O(shè)K，即表示MASK為好的。 h&5H`CR[  
....... (2017-07-03 17:36)  6$b"tdP  

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好的   ，謝謝指導(dǎo)。我也覺得單層有薄層敏感度高的。很均勻的差別。